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晶体管
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FCX591AQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
2,000
¥1.5368
3073.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
800 at - 100 mA, - 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at - 100 mA, - 5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:166418
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
参考库存:13415
晶体管
MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
参考库存:5452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr
1:¥1.695
10:¥1.1526
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:79704
晶体管
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥1.09158
500:¥0.91417
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:235621
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    50万现货SKU

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