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晶体管
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BSG0811ND

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数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
5,000
¥7.2659
36329.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms, 700 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC, 29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.15 mm
长度
6 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S, 90 S
下降时间
1.4 ns, 2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns, 4.3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSG0811NDATMA1 SP001075902
单位重量
230 mg
商品其它信息
优势价格,BSG0811ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥285.6866
2:¥277.9348
5:¥270.2508
10:¥262.5668
参考库存:3670
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:23612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS TSOP-6 NPN 30V
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:46354
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN / PNP 50V 3A 600mW 100MHz
1:¥3.0736
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:25831
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:43428
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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