APT40GP90JDQ2详细信息_APT40GP90JDQ2相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	900 V
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	64 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	284 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT40GP90JDQ2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC125TUAT106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:23014
IFN5197	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET N-Channel Dual	67:¥106.1974 100:¥97.745 250:¥89.0553 500:¥83.2923	参考库存:23019
VS-GB150YG120NT	Vishay Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 SW Mod - ECONO IGBT	10:¥1,336.9369	参考库存:23024
DTC314TKT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 15V 600MA	1:¥2.9154 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 3,000:¥0.77631	参考库存:23029
TSM150P04LCS RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -40V, -22A, Single P Channel Power MOSFET	1:¥6.9156 10:¥6.0681 100:¥4.6782 500:¥3.4691 2,500:¥2.4408 5,000:查看	参考库存:23034