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晶体管
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KSD882YSTU

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库存:23,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.6046
160.46
1,000
¥1.243
1243
2,500
¥1.05994
2649.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD882
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSD882YSTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Digital FET P-Ch
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:506128
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:805540
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
800:¥16.5206
参考库存:5222
晶体管
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
参考库存:223939
晶体管
MOSFET 500V N-Ch MOSFET
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:12281
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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