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晶体管

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APT35GT120JU3

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库存:4,302(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.2343
279.2343
5
¥268.3298
1341.649
10
¥258.1824
2581.824
25
¥237.2774
5931.935
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
260 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT35GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
2,500:¥3.5595
10,000:查看
参考库存:27876
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥158.1322
5:¥151.0697
10:¥146.3011
25:¥134.47
参考库存:27881
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥52.9405
10:¥47.2566
25:¥42.488
50:¥40.6461
参考库存:27886
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:27896
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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