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晶体管
2DA1797-13参考图片

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2DA1797-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMT 2.5K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 100 mV
最大直流电集电极电流
- 6 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DA17
直流电流增益 hFE 最大值
82
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
82 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，2DA1797-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP7N80C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.4524
参考库存:6020
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
10,000:¥1.1865
参考库存:46976
DMT3011LDT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:17527
STL92N10F7AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22479
SPW11N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:9951

  • 海量现货

    50万现货SKU

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