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晶体管
SPW11N80C3参考图片

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SPW11N80C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
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库存:9,951(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
500
¥13.9894
6994.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000013703 SPW11N80C3FKSA1 SPW11N8C3XK
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SPW11N80C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V 27A MOSFET RDS(on)=0.22ohm typ
1:¥52.3303
10:¥47.0984
25:¥42.9513
50:¥39.7986
参考库存:27744
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:27749
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:27754
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
参考库存:27759
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥21.8203
10:¥19.5151
25:¥17.515
50:¥16.7466
参考库存:27764
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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