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晶体管
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DMP32D4S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
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92.999
1,000
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714.16
10,000
¥0.5537
5537
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP32
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
21.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.8 ns
典型接通延迟时间
9.86 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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