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晶体管
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FQP7N80C

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数量单价合计
1
¥17.1308
17.1308
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.4524
8452.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP7N80C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FQP7N80C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP7N80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SUD50P04-08-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥6.3054
参考库存:2959
F3L75R07W2E3_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A
1:¥393.4999
5:¥384.7424
10:¥367.137
25:¥351.769
参考库存:3031
ULN2004ANSR
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
2,000:¥2.0566
参考库存:4338
IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:4130
BC848CDW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V Dual NPN
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:112617

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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