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晶体管
IPB017N06N3 G参考图片

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IPB017N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存：2,860(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.1147
34.1147
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.1312
2513.12
250
¥23.8204
5955.1
1,000
¥18.0574
18057.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
275 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
99 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
41 ns
零件号别名
IPB017N06N3GATMA1 IPB17N6N3GXT SP000434404
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB017N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 23A TO220-3
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
500:¥20.5208
参考库存:12803
ZXTP23015CFHTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V 6A 3-PIN
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:27550
MJD31CT4-A
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VLT NPN PWR TRANS
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
2,500:¥2.6894
参考库存:17997
STW11NK100Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:6809
CSD19531Q5AT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:36916

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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