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晶体管
STW11NK100Z参考图片

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STW11NK100Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
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库存：6,809(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥38.1149
381.149
100
¥33.0412
3304.12
250
¥31.3462
7836.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
8.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.38 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
113 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW11NK100Z
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
98 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW11NK100Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3K37FS,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small Low ON Resistane MOSFETs
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:31656
FQD2N60CTM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
2,500:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:15823
APT13003DI-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
参考库存:4995
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
1:¥17.8992
10:¥14.4414
100:¥12.9837
500:¥10.0683
参考库存:43642
SPD15P10PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,500:¥5.4466
5,000:查看
参考库存:14157

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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