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晶体管
DMT10H015LSS-13参考图片

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DMT10H015LSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
1,000
¥3.5482
3548.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
8.3 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.95 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMT10H015LSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
1,000:¥3.5143
参考库存:20469
晶体管
MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
1:¥6.4523
10:¥5.198
100:¥3.955
3,000:¥3.955
参考库存:99016
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:39523
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥30.0467
10:¥25.5154
100:¥22.1254
250:¥20.9728
参考库存:7055
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50/100mA/2.2K 47K
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:37417
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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