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晶体管
APT13003DI-G1参考图片

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APT13003DI-G1

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
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库存:4,995(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9606
29.606
100
¥1.6046
160.46
1,000
¥1.2091
1209.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
APT13003
直流电流增益 hFE 最大值
30 at 500 mA, 2 V
封装
Tube
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
16 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
24 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3600
子类别
Transistors
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,APT13003DI-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:5156
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:8843
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.2262
10:¥3.1075
100:¥1.9549
500:¥1.5707
3,000:¥1.243
9,000:查看
参考库存:28860
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULE 1200V, 150A
1:¥1,407.5506
5:¥1,373.6732
10:¥1,339.5472
25:¥1,320.8005
参考库存:1497
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:1394
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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