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晶体管
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FDP2D3N10C

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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥38.8833
388.833
100
¥33.7305
3373.05
250
¥31.9677
7991.925
500
¥28.7359
14367.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
222 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
152 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FDP2D3N10C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
222 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
74 ns
典型接通延迟时间
42 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP2D3N10C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF460AG
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:1861
MUN5131T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:156418
IMD9AT108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:8675
RQ5L015SPTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:92627
DTD113EKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:16604

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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