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晶体管
GSM-065-240-1-N-0参考图片

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GSM-065-240-1-N-0

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V, 240A, 6 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
GSM-065
晶体管类型
2 N-Channel
商标
GaN Systems
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，GSM-065-240-1-N-0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MSC060SMA070S
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1:¥120.9439
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1,000:¥0.32996
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100:¥21.0519
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1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:14120
EFC4612R-W-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
参考库存:32122

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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