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晶体管
IKW75N60T参考图片

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IKW75N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A
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库存:2,735(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.619
63.619
10
¥57.4718
574.718
25
¥54.7824
1369.56
100
¥47.5617
4756.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.03 mm
宽度
5.16 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60TFKSA1 IKW75N6TXK SP000054889
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:15049
晶体管
MOSFET FET 80V 3.1 MOHM TO220
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:6416
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:42453
晶体管
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:9865
晶体管
MOSFET 30V 9A 2.5W
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:13907
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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