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晶体管
SSM3K16CT,L3F参考图片

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SSM3K16CT,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
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数量单价合计
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10
¥1.6385
16.385
100
¥0.68365
68.365
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468.95
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¥0.30736
3073.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-883-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3K16CT
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
40 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
0.750 mg
商品其它信息
优势价格，SSM3K16CT,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3055
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥488.6233
5:¥468.1138
10:¥459.8874
25:¥431.0724
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BCR562E6327HTSA1
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双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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10:¥2.0227
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
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DSC2G02D0L
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6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:25944
RJK5012DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥21.131
10:¥19.0518
25:¥17.063
100:¥15.368
参考库存:25949
BC818K40E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 25V 0.5A
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:25954

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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