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晶体管
IRFB3607PBF参考图片

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IRFB3607PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8986
58.986
100
¥3.8081
380.81
1,000
¥3.0397
3039.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001551746
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFB3607PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN19020DGTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
1:¥6.1472
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
参考库存:8394
PSMN9R0-25MLC,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:10376
BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:73518
BCX5310TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:43885
FSB560
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
1:¥2.7685
10:¥2.0566
100:¥1.12209
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.72207
参考库存:28987

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