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晶体管
IPB072N15N3GATMA1参考图片

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IPB072N15N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:21,228(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7987
41.7987
10
¥35.5046
355.046
100
¥30.8151
3081.51
250
¥29.1992
7299.8
1,000
¥22.0576
22057.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB072N15N3 IPB72N15N3GXT SP000386664
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB072N15N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
2,500:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:9495
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 50A
1:¥352.6956
5:¥344.8534
10:¥329.0334
25:¥315.27
参考库存:4557
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
3,000:¥6.4297
参考库存:48894
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7799
800:¥3.7742
参考库存:67296
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
1:¥3.2996
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
参考库存:46278
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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