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晶体管
STD3NK80Z-1参考图片

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STD3NK80Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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库存:19,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD3NK80Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.1 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD3NK80Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
1,500:¥2.9945
9,000:查看
参考库存:11040
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
1:¥25.2781
10:¥20.905
100:¥17.2099
250:¥16.6788
参考库存:9597
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bridge Rectifier
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:12334
晶体管
MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
3,000:¥6.0116
6,000:查看
参考库存:44726
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3619
500:¥5.6274
1,000:¥4.4409
2,500:¥3.9437
参考库存:15233
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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