您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
BSM50GB120DN2参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BSM50GB120DN2

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:23,481(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥580.4471
580.4471
5
¥569.7686
2848.843
10
¥555.0108
5550.108
25
¥544.1063
13602.6575
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
400 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GB120DN2HOSA1 SP000095922
商品其它信息
优势价格,BSM50GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIR622DP-T1-GE3
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:28582
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥20.2044
10:¥18.2156
25:¥16.2946
100:¥14.6787
参考库存:28587
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.1979
2,500:¥2.2487
5,000:查看
参考库存:28592
晶体管
MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.2318
100:¥2.3956
500:¥1.7628
2,500:¥1.2091
5,000:查看
参考库存:28597
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:6948
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们