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晶体管
BTS282ZE3180AATMA2参考图片

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BTS282ZE3180AATMA2

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数量单价合计
1
¥39.3466
39.3466
10
¥33.4254
334.254
100
¥28.9732
2897.32
250
¥27.5042
6876.05
1,000
¥20.8259
20825.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
49 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
BTS282
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
BTS282Z E3180A SP000910848
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,BTS282ZE3180AATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:1861
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:156418
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:8675
晶体管
MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:92627
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:16604
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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