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晶体管
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HGTG18N120BND

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数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥40.567
405.67
100
¥35.1204
3512.04
250
¥33.3463
8336.575
500
¥29.8885
14944.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG18N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG18N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，HGTG18N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA204030R
Panasonic
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.3053
10:¥2.8476
100:¥1.7628
500:¥1.5933
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9,000:查看
参考库存:16010
IRF624PBF
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1:¥9.1417
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FJP13007H1TU-F080
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV FAST-SWITCHING NPN PWR TRANSISTOR
1:¥6.4523
10:¥5.3562
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:5614
FQPF11N40C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5936
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参考库存:2531
BFP405FH6327XTSA1
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1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:12453

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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