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晶体管
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HGTG18N120BND

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数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥40.567
405.67
100
¥35.1204
3512.04
250
¥33.3463
8336.575
500
¥29.8885
14944.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG18N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG18N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，HGTG18N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDB8443
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.4415
250:¥15.594
800:¥11.752
2,400:查看
参考库存:2873
APT75GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:3150
STD2805T4
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV fast-switching PNP power trans
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:64777
IRFP7430PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
500:¥16.6788
参考库存:18714
IRFS7430TRL7PP
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
800:¥11.8311
2,400:查看
参考库存:10661

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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