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晶体管
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IRGS4062DPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Low VCEon
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数量单价合计
1
¥41.1885
41.1885
10
¥35.0413
350.413
100
¥30.3518
3035.18
250
¥28.815
7203.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535940
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格，IRGS4062DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD910016SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
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参考库存:35542
2N6987U
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JANTX2N5151U3
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥936.5214
参考库存:35556

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    50万现货SKU

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