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晶体管
IPG20N04S412AATMA1参考图片

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IPG20N04S412AATMA1

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库存:29,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.0738
70.738
100
¥5.4353
543.53
500
¥4.8025
2401.25
5,000
¥3.3674
16837
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPG20N04S4-12A SP000938098
商品其它信息
优势价格,IPG20N04S412AATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA -45
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:24031
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
4,000:¥0.99892
参考库存:24783
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:71920
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DOUBLE NPN TRANSISTR
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:71652
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C3
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:4809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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