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晶体管
FF50R12RT4参考图片

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FF50R12RT4

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库存:4,557(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥352.6956
352.6956
5
¥344.8534
1724.267
10
¥329.0334
3290.334
25
¥315.27
7881.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
285 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF50R12RT4HOSA1 SP000624912
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,FF50R12RT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.9211
10:¥3.2657
100:¥1.9888
1,000:¥1.5368
3,000:¥1.3108
参考库存:3079
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT
1:¥29.8094
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.8259
参考库存:17931
晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:62343
晶体管
MOSFET 40Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 6.0A 1.2W
1:¥6.3732
10:¥5.1641
100:¥4.3053
500:¥3.3222
1,000:¥2.9945
参考库存:9955
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4 NPN Matched Trans. Array SO-14
1:¥48.251
25:¥40.4992
100:¥36.6572
250:¥35.6515
参考库存:4322
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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