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晶体管
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FF50R12RT4

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数量单价合计
1
¥352.6956
352.6956
5
¥344.8534
1724.267
10
¥329.0334
3290.334
25
¥315.27
7881.75
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
285 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF50R12RT4HOSA1 SP000624912
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格，FF50R12RT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP25R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
10:¥598.2785
30:¥578.3001
100:¥538.4902
参考库存:30412
PBLS4005Y,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
3,000:¥0.69947
9,000:¥0.63732
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52997
99,000:¥0.51528
参考库存:30417
PUMD14,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DOUBLE RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:30422
2735GN-35M
Microsemi
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射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥1,996.0772
10:¥1,967.7933
25:¥1,940.8202
50:¥1,807.8192
参考库存:30427
MHT2025NR1
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥211.9993
参考库存:30432

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    50万现货SKU

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