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晶体管
NTS4001NT1G参考图片

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NTS4001NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V 270mA N-Channel
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.695
16.95
100
¥0.72998
72.998
1,000
¥0.56048
560.48
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4 V
Qg-栅极电荷
0.9 ns
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW (1/3 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTS4001N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.24 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
94 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,NTS4001NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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