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晶体管
IPP60R360P7XKSA1参考图片

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IPP60R360P7XKSA1

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库存:14,558(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
1,000
¥5.8308
5830.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
305 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPP60R360P7 SP001606036
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R360P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:16291
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.2317
参考库存:11293
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:10450
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:5642
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 41A 9MOHM
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
参考库存:10964
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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