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晶体管
STGF20H60DF参考图片

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STGF20H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:6,109(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
37 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF20H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF20H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:149071
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.2998
10:¥5.8647
100:¥4.4522
500:¥3.6725
参考库存:25323
晶体管
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:4655
晶体管
MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0964
1,000:¥5.5935
参考库存:10442
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:12374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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