您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
IRFB3306GPBF参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IRFB3306GPBF

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:7,088(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.3678
113.678
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.6331
6633.1
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001555952
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB3306GPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.80682
参考库存:45215
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥41.4936
10:¥33.3463
100:¥27.3573
500:¥24.5888
参考库存:5812
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥630.088
25:¥614.72
50:¥583.984
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP SuperSOT4
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:19311
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
参考库存:31923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们