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晶体管
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TT8M1TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8024
28.024
100
¥1.5142
151.42
1,000
¥1.1413
1141.3
3,000
¥0.9831
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSST-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms, 49 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC, 12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
17 ns, 85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns, 30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns, 120 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
TT8M1
商品其它信息
优势价格,TT8M1TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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    50万现货SKU

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