NSBC123JPDXV6T1G详细信息_NSBC123JPDXV6T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC123JP
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB033N10N5LFATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥39.7986 10:¥33.8096 100:¥29.2783 250:¥27.8206 1,000:¥21.0519 2,000:查看	参考库存:14520
DTC143TU3T106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:48572
IKY50N120CH3XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管	1:¥92.9764 10:¥85.5184 25:¥81.9928 100:¥72.2296	参考库存:5069
IRF200S234	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH_MOSFETS	1:¥27.9675 10:¥23.7413 100:¥20.5886 250:¥19.5151 800:¥14.7578 2,400:查看	参考库存:5216
PMV30XPEAR	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMV30XPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	1:¥3.1527 10:¥2.3504 100:¥1.2769 1,000:¥0.9605 3,000:¥0.82264	参考库存:270193