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晶体管
IPB033N10N5LFATMA1参考图片

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IPB033N10N5LFATMA1

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库存:14,520(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.7986
39.7986
10
¥33.8096
338.096
100
¥29.2783
2927.83
250
¥27.8206
6955.15
1,000
¥21.0519
21051.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB033N10N5LF SP001503858
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB033N10N5LFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:119570
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥2.5312
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:49152
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥295.2238
2:¥287.2234
5:¥279.2343
10:¥271.3243
参考库存:2969
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:208418
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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