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晶体管
BSM100GB120DN2参考图片

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BSM100GB120DN2

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库存:2,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,120.2481
1120.2481
5
¥1,098.2696
5491.348
10
¥1,047.0241
10470.241
25
¥1,025.0456
25626.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
800 W
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DN2HOSA1 SP000100720
商品其它信息
优势价格,BSM100GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET 20V .88A 1OHM
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:138263
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
1:¥43.3355
10:¥36.8832
100:¥31.9677
250:¥30.3518
参考库存:26943
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:8080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:31407
晶体管
MOSFET Dual N-Ch FET 60V 60Vdg 40Vgs 350Pd
1:¥3.7629
10:¥2.7233
100:¥1.5707
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:36859
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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