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晶体管
BSM100GB120DN2参考图片

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BSM100GB120DN2

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库存:2,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,120.2481
1120.2481
5
¥1,098.2696
5491.348
10
¥1,047.0241
10470.241
25
¥1,025.0456
25626.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
800 W
封装 / 箱体
Half Bridge2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DN2HOSA1 SP000100720
商品其它信息
优势价格,BSM100GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:1070351
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:74493
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power
1:¥14.0572
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2207
参考库存:2455
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 65 mo FET
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
1,500:¥1.9549
参考库存:17342
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-11
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:49549
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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