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晶体管
IGW40T120参考图片

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IGW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
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库存:2,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.6461
1016.1525
100
¥35.2673
3526.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40T120FKSA1 IGW4T12XK SP000013886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 40V 0.9 MOHM TOLL
1:¥27.6624
10:¥23.5153
100:¥20.3626
250:¥19.3682
2,000:¥13.9103
4,000:查看
参考库存:8271
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
4,000:¥0.33787
参考库存:57463
晶体管
MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
1:¥121.1021
10:¥111.3389
25:¥106.7285
100:¥94.0499
参考库存:4200
晶体管
MOSFET Nch+Nch 60V Vds 3Rds(on) SOT-363
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:29067
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:47714
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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