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晶体管
MGSF1N02LT1G参考图片

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MGSF1N02LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm
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库存：317,921(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.5877
25.877
100
¥1.4012
140.12
1,000
¥1.05316
1053.16
3,000
¥0.90626
2718.78
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
750 mA
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6000 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
MGSF1N02L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MGSF1N02LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA144WM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:28329
A2T09VD300NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
500:¥764.0156
参考库存:28334
2N6288
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Pwr SW
1,200:¥5.3223
参考库存:28339
NVD6414ANT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
2,500:¥3.7403
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:13882
DRC3113Z0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.47686
20,000:¥0.45313
参考库存:28346

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