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晶体管
ZXMN3A02X8TA参考图片

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ZXMN3A02X8TA

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库存:8,402(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.0626
90.626
100
¥7.006
700.6
500
¥6.1924
3096.2
1,000
¥4.8816
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN3A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.1 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN3A02X8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6506
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6611
10,000:¥1.6498
参考库存:13213
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:43195
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:4947
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:3654
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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