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晶体管
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TGF2953

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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数量单价合计
50
¥337.3276
16866.38
100
¥291.766
29176.6
250
¥274.2397
68559.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
820 mA
输出功率
41.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112257
商品其它信息
优势价格，TGF2953的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
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IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.311
3,000:¥5.311
参考库存:7709
IRL2910STRRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
500:¥13.447
800:¥13.447
参考库存:6566
STP33N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥28.5099
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
参考库存:2498
STD19N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:13125

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    50万现货SKU

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