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晶体管
IPP111N15N3GXKSA1参考图片

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IPP111N15N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:7,011(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
G IPP111N15N3 IPP111N15N3GXK SP000677860
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP111N15N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.684
1,000:¥6.3619
参考库存:14185
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -8.2A DSO-8 OptiMOS P
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.1416
1,000:¥5.6274
2,500:¥5.6274
参考库存:17232
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO
1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8477
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
2,500:¥2.9945
参考库存:68629
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥17.515
10:¥14.9838
800:¥13.0628
参考库存:7776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg FAST SWITCH NPN Pwr TRANSISTOR
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:6638
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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