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晶体管
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RCX120N20

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V
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库存：8,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.1473
4073.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
RCX120N20
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
RCX120N20
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格，RCX120N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC241702FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:27764
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥705.5494
参考库存:27769
CMLM0584 TR
Central Semiconductor
晶体管
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6,000:¥1.4464
9,000:¥1.3447
24,000:¥1.2769
45,000:¥1.243
参考库存:76010
GTVA261701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:27776
STU4N52K3
STMicroelectronics
晶体管
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1:¥8.2264
10:¥6.3732
100:¥5.0737
500:¥4.6217
参考库存:27781

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