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APTGLQ200A120T3AG参考图片

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APTGLQ200A120T3AG

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100
¥705.5494
70554.94
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
Pd-功率耗散
1250 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGLQ200A120T3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6441DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 1.08W
3,000:¥9.831
6,000:¥9.4468
9,000:¥9.0626
参考库存:32348
2N3442
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥276.7822
250:¥258.3406
参考库存:32353
APTGT300A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:32358
PTFB201402FC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:32363
D3S190N65F-U
D3
晶体管
MOSFET 190 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 FullPak
1,000:¥7.9891
2,500:¥7.4693
5,000:¥7.1868
10,000:¥6.9156
参考库存:32368

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    50万现货SKU

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