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晶体管
DMC3400SDW-13参考图片

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DMC3400SDW-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
10,000
¥0.44522
4452.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
650 mA, 450 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms, 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC, 1.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
390 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC3400
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
18.8 ns, 19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns, 8.8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 5.7 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，DMC3400SDW-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA143EQAZ
Nexperia
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双极晶体管 - 预偏置 PDTA143EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:26665
DDTC143TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23512
IPP60R160P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:6669
PMST5088,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:16616
BSO303SP H
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6896
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5821
2,500:¥3.5821
参考库存:13758

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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