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晶体管
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FP10R12KE3

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库存:32,512(价格仅供参考)
数量单价合计
20
¥365.8375
7316.75
40
¥354.0742
14162.968
60
¥354.0064
21240.384
100
¥328.1068
32810.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R12KE3BOMA1 SP000100274
商品其它信息
优势价格,FP10R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.15KA
1:¥6,125.9899
5:¥6,028.0189
参考库存:2709
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
1:¥18.2156
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
3,000:¥8.3733
参考库存:17701
晶体管
MOSFET 1000V N-Channel
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.9048
500:¥15.142
参考库存:8828
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2884
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:21180
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:6642
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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