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FP10R12KE3

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数量单价合计
20
¥365.8375
7316.75
40
¥354.0742
14162.968
60
¥354.0064
21240.384
100
¥328.1068
32810.68
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R12KE3BOMA1 SP000100274
商品其它信息
优势价格，FP10R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP6250SFDF-13
Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥2.2148
参考库存:34077
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10,000:¥0.87575
24,000:¥0.79891
50,000:¥0.7684
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100:¥895.2651
参考库存:34087
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
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900:¥7.6727
1,050:¥6.3506
参考库存:34097

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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