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晶体管
FCH072N60F参考图片

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FCH072N60F

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库存:7,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.7142
46.7142
10
¥39.7308
397.308
100
¥34.4198
3441.98
250
¥32.657
8164.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
481 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II FRFET
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH072N60F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
42 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
43 ns
单位重量
5 g
商品其它信息
优势价格,FCH072N60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
2,500:¥3.5595
10,000:查看
参考库存:27876
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥158.1322
5:¥151.0697
10:¥146.3011
25:¥134.47
参考库存:27881
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥52.9405
10:¥47.2566
25:¥42.488
50:¥40.6461
参考库存:27886
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:27896
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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