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晶体管
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ZXMN3A04DN8TA

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库存：6,307(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5371
3768.55
1,000
¥6.2376
6237.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.15 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
ZXMN3A
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
20.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.1 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38.1 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN3A04DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PZTA14H6327XTSA1
Infineon Technologies
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达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.9211
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Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:28046

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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