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晶体管
SI7463ADP-T1-GE3参考图片

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SI7463ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.3336
2666.8
3,000
¥5.3336
16000.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,SI7463ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥413.241
2:¥402.0314
5:¥390.8896
10:¥379.7478
参考库存:3871
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:8363
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
1:¥64.3874
10:¥58.1724
25:¥55.483
100:¥48.1832
3,000:¥35.1882
参考库存:3745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
参考库存:13647
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.554
2,500:¥4.5878
10,000:查看
参考库存:8934
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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