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晶体管
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DXT651Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.23 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，DXT651Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT10M19SVRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥139.1595
5:¥133.7016
10:¥128.707
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参考库存:1933
BCP51-10,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.72207
参考库存:10010
DCX114YK-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 300MW 10K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:16612
STGF3NC120HD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:10954
TK14E65W5,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥23.5153
10:¥18.984
100:¥15.142
500:¥13.2888
参考库存:1791

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    50万现货SKU

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