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晶体管
SPD08P06P G参考图片

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SPD08P06P G

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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.8082
58.082
100
¥3.7516
375.16
1,000
¥3.0058
3005.8
2,500
¥2.5312
6328
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.83 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
SPD08P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP000450534 SPD08P06PGBTMA1 SPD8P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SPD08P06P G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847AQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:44327
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:29279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.71416
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.36838
参考库存:68971
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
500:¥22.6678
参考库存:4588
晶体管
MOSFET Synch Buck NexFET Power Block
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.1418
2,500:¥8.6106
5,000:查看
参考库存:23315
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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