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晶体管
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IPN50R3K0CEATMA1

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1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
7.02 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
49 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns
零件号别名
IPN50R3K0CE SP001424878
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，IPN50R3K0CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:30508
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:30513
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6,000:¥0.71416
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参考库存:30518
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参考库存:30523

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    50万现货SKU

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