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晶体管
STU7NM60N参考图片

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STU7NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU7NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU7NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
1:¥879.3547
参考库存:3058
晶体管
MOSFET 0.9V Drive Nch Si MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:65480
晶体管
MOSFET 12V 480 mo SMALL SIGNAL MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
8,000:¥0.66105
24,000:查看
参考库存:36712
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.4747
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.5537
参考库存:221709
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:39176
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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